晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HCW60R190
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】130 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管2SK32962SK677SGT650N80W3FMI07N90EFHR02FHFLL35MESVD640TSVD1N60DTK13A60DAO3406IRF740SFTP18N06NSVF18N50FFLC253MH-8FQPF20N60

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