晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGT650N80W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220FB

更多N沟道场效应管IRF530N2SK2527IPI80N04S4-03(4N0403)2SK281FHA40N50SVT078R0NS2SK37673SK201A4SHB10N65FCNCE01H21TIXFV96N20PSSF10N80AIRFS720RU7588R

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