晶体管元件查询
型号：HY3010B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：192 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管HY029N10PIRFJ320MGF-X34MIRFF212OSG65R1K4DIPP120N20NFDLSB60R125HTMGFK38V2732AP95T07GP07N60C3SGB420N80W3IRFJ343LSF80R350GTSTP7N95K3FLC151XP