晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：OSG65R1K4D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：28.4 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管BUZ91AMDD4N20YLNH2N60HY32082N60NP80N055ELE2N7218HY5012A2SK2750LNG06R110AO4406DHE180N10BUK457-400BSGH5002ERU6199R

中文 - English

电子爱好者