晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HY3215B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.015 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管SSF9N90ALNC12N65IPD70R900P7S(70S900P7)STW12NA60IRLD120SVF18N50TIRFS720LSG70R640GTIXFM24N50MGF1304ASTB9NK70Z2SK2866BUZ326STW6N95K5DHE3205P

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