晶体管元件查询
型号：HY5110A
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0025 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管PHP78NQ03LTSTB11NM60T42SK1461SGT420N80W3IRFP250NFLK012WFIRFK3D250IRFSZ20MGFK38V2228TTP145N08AIRF82050N06FQPF8N60CSTFI4N62K3LND2N60