晶体管元件查询
型号：HY5110W
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0025 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管WMO14N65C2IRF100B2012SK332LSD60R650HTA2SHBFQD1N80BFR29IRFSZ20LNF7N65DDHI100N06IRFZ40AOI508IRF610A2SK2039IRFJ130