晶体管元件查询
型号：IPB019N08N3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0019 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管2SK1271DHI110N152SK1689FHP50N06SKD502TIRLB4132PbF2SK3687MMD70R900PUV250N08QNE32184A-1.1IRFR022MTM4N50MGFX35V0005SVF11N60TFLM1414-5