晶体管元件查询
型号：MTM4N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管IRFL3102SHY5110ALNG04R075S85N12R2SK650LNC20N65STI13NM60NLNE10R180IXFH8N65SVF7N65CDTRAOT9N70JCS7N65BB2SK793IRFZ44ELPbFIRFI644