晶体管元件查询
型号：IPB039N10N3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0039 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】214 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】214 W
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管2SK5872SK1234SGU660N70W3PTA13N45SGT650N80W3IRLU7843PbFLSF65R380GFTK8A50DIRFK6H450SWF6N60(SW6N60)80N07LSH65R380HTSGB660N60W3HY3410PSBUZ84A