晶体管元件查询
型号：IPB160N04S4-H1(4N04H1)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】167 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】167 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0016 Ω
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管IXFK36N60LSD60R180HTLSH65R570GT2SK3992SK241NCE85H21TCTTK2837LSGC04R025BIXFK94N50P22SK1962LNDN10N65LNF7N65DNE76038MGFC39V7785IXTP5N60P