晶体管元件查询
型号：IRF1010E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】84 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】84 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管2SK3199MTA1N60EFLM4450-4B/DCEP85N75SVD2N65HY4504WNTMFS006N08MCIPLU300N04S4-R8(4N04R8)NCE30H10KMGF1903JCS4N60FMGF22052SK2078FS3402(X2FS20)SVD640F