晶体管元件查询
型号：NCE30H10K
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：110 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0055 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管IRF054LNH04R075IXFK120N20PIRF712IRF743IPB039N10N3LSG60R1K4HTHUF75852G3UV1404R2SK2375FHR02FHTK80E08K3MGFX38V1722CRSS063N08NMGF2415