晶体管元件查询
型号：MTA1N60E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：8 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管2SK3615STW11NK100ZSVT077R5NS2SK668SiHFP260LSG70R640GTFQD2N60CIRFB74302SK36385N60CHYG016N04LS1P2SK3698-01MGFK25M4045B3020LIRFJ443