晶体管元件查询
型号：LSB65R099GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管3SK183FS3KM-5AIRFF12230N20SVF2N60D2SK3880A09N03IRLD02440N03PSTH3N150-23SK187FCPF16N60NTIRF462STI13NM60NIPI110N20N3G(110N20N)