晶体管元件查询
型号：IRFS640B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】43 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】43 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管LND04R035B2SK1723IRF614FLM4450-12DIRFH1502SK305033N25NCE80H15IRF2804PbFSVD7N65AJCS4N65VNCEP40T15G10N65D-TRFQU2N100DHI0159