晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTH11N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：250 W
漏极电流（ID）：11 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管SVF10N60AMTP2N40IPD60R400CESGB360N65W3FHX06FA/LG2SK956FQA160N082SK872BUK438/800BYMP130N08Q2SK30314N25IRF245CS150N03LNH2N65

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