晶体管元件查询
型号：IXTP80N10T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.014 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FHP540STB12NM50T4DHE90N035RSGF180N60W3SVF12N65KSVG095R0NSRFG70N06MGFK25M4045FQPF8N65CTK040Z65ZSTB9NK90Z2SK2652-01FHX06FA/LG2SK2870JCS20N65WH