晶体管元件查询
型号：STB12NM50T4
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.35 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管IRFF330DHI8004110N06DHE3205FTB85N12SVF13N50PNTK6P65WFQU19N10NCE80H15IXFH28N50FDHI90N055RIRFP343IRFB46202SK2038IRFF311