晶体管元件查询
型号：SGB1K4N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：3.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管STP12NM50SVF11N60TWMA26N60FDSGF660N65W3SGT380N60SJ2N6659DHI90N045RIXTM4N100NTB75N03STU11N65M2LNL045R210MDP10N027THKND4365APHB78NQ03LTHY3708