晶体管元件查询
型号：IXTT40N50L2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-268
更多N沟道场效应管SVD7N80IRFR210MGFC42V37423N169LSDN60R950HTLSGC085R065W3SVF8N60CEP80N75FBM120N80AFQA27N25SSP5N90(A)STP9NK50Z2SK3204STP20NM60STF7N95K3