晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTT40N50L2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-268

更多N沟道场效应管SSF9N80AIXFH7N80TF12N65IRF840A2SK3683-01MRMDF7N65BIXFH150N17TFTA06N40DNCE55H11BFW102SK31632SK4092FHS40N20AIXTH11N902SK1101

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