晶体管元件查询
型号：JCS4N65M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】33 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】33 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-126
更多N沟道场效应管IRFPF52SGI360N65W32SK1507FQP7N80CDHD100N062SK1092FTA06N60CHY3215PFMH09N90ELSG65R1K5HTIRFI640TK110Z65ZIRFZ48NPbFIRFF312NCE01H13D