晶体管元件查询
型号：LSG65R1K5HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK24822SK569S80N08SBF256CFQPF9N90CIRFP260N2SK779FTN01N65CBUZ231SMN0665FDBUK457-400AIRFZ24IXFH44N50PSTW6NA80LSGN10R085W3