晶体管元件查询
型号：LND5N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.6 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管FTD04N60CPHD50N06LTIRF740S2SK1229LND06R062MMD60R580PBLSG65R1K6GTSMT15N65FHD150N03CFLL100MKNCE01H14TSSH10N60IRFU010BUK471-100BDHI3205