晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSG65R1K6GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.6 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管2SK1544IXFM26N50MDP8N6015N65BTS240AIRFF221LSD65R099GT65R3005N60HY3215P2SK1240FBM100N80PJD09N03FHP20N40AIXFH1N80

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