晶体管元件查询
型号：LSD70R640GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.64 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管STP4NA80F2SK413BFR29LNN04R040BSTV4N100LSB60R125HT2SK367S85N12SJCS7N65SBFLM3742-4B/DFDP52N20NDP6030SSW6N80ALSG65R380GT40T03GJ