晶体管元件查询
型号：S85N12S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管BUZ341IRFJ2332SK29962SK423BUK471-100APHD78NQ03LT2SK3017IRF1404ZSPbFIXTH11N80IRFS33N15DFDI045N10A2SK2730LNH045R055IXFT15N100Q3STD12NM50N