晶体管元件查询
型号：STD11N65M2
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.68 Ω
总耗散功率（Ptot）：85 W
封装：DPAK
更多N沟道场效应管IRFPF42TK13A65DBUZ310SPP12N50C32SK3683-01MR2SK40039N60BUZ332AIRFF212FHS110N8F5B2SK369NCE75H14TK13A50DASTW8NB90AF75N02