晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:LSF65R570GT
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):83 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
7 A
漏极和源极电压(VDSS):650 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.57 Ω
封装:TO-262

更多N沟道场效应管IRFK4H350IRFG113OSP8N60C2SK3599IRH150TSM900N06CPMTM4N502SK2718MDF15N60GLND18N50IPP120N06S4-H1(4N06H1)IRFF421NCE30H15KPFP730EFQD6N60C

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