晶体管元件查询
型号：LSG60R650HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：63 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管DHF90N03NCE01H13SGF190N65SJFBM85N802SK23752SK1924TK3A60DASTD12NM50N2SK2544JCS4N65MMTM4N45MGFC39V5258KIA2906AIRFF133FTP18N06