晶体管元件查询
型号：LSG65R650HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：63 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK36152N60LLSF70R640GTDHB0159IRFU014MXP8828ALSGF660N65W3BR80N7530N102SK2746DH1710IRFIP2542SK2599STP7NK80ZFPRM10N600LD