晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MDQ18N50G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】245 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.27 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管FLK052WG10N65ACJCS4N60CIRF645HY3912WNCE3095K2SK697FLS09BUZ310UV6S100RHY3410PSSGB660N65W3SiDR220DP2SK2647MDP11N60

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