晶体管元件查询
型号：P20N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管IRFP23N50LLSB55R140GTIRFZ142SK138BUK457-500BMTP12N20IRFIP440RU7088RFTK65T680DD(NCE65T680D)IRFM150FLL200IB-1SVD13N50TFTA04N65IRC832FLR016FH