晶体管元件查询
型号：RFM8N18
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：180 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.5 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管FHD5N60AIXTH11N100IRFF231IRFP264N2SK3523A4SHBIXTK80N25MGFX38V1722LSG65R380GFIRF630NSWFP8N60AOD486ATSP5N60MFTA04N60DSPU04N60C3