晶体管元件查询
型号：IXTK80N25
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】540 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.033 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管LNH045R090FLM6472-12D2SK2808-01MRIRFJ422IXTH11N1002SK37672SK3473IRF1010E3SK121FHP100N8F6ACS8N65FFTK65T680P(NCE65T680)LNC045R090NCE65R260FIPB120N06N