晶体管元件查询
型号：SGB660N70W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：6 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.66 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SVF6N60DIPB120N06S4-H1(4N06H1)IRF723SGF190N65SJ2SK3301TRHF1203CL2N6762FDH210N08LNC2N65BUZ842SK2487LSGN04R025CRSQ036N10NLNC16N60LSH65R2K5GT