晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB660N70W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：6 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.66 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管SGD600N65W32SK2134IRF740S2SK2527IXFH1N60IXFH1N1002SK1462SVF13N50TIRF244IRFJ323MGF14032SK354IRFJ1332SK2611DH200N08B

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