晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGI1K1N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-262

更多N沟道场效应管STB11NK50ZT4STB140NF75-1FSX02XBFW12STB13N60M2DMFP84N06NHY1906PHCW60R190STB9NK70Z2SK2642MTP8N18FDPF20N50TLNF12N60FDH50N50MDF18N50

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