晶体管元件查询
型号：SPP11N65C3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.38 Ω
总耗散功率（Ptot）：125 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管STW40N20IXFH44N50PTK8A60DAFSC10FA/LG11N60SMK1060FIRF351FFSSUM-18(A)IRF152CS830A4RDIXFK27N80QSTP8NK80ZFPM91FIXTK3N250L30N50