晶体管元件查询
型号：STI20N65M5
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
总耗散功率（Ptot）：130 W
封装：I2PAK
更多N沟道场效应管CEP3205FTK80T420P(NCE80T420)LNL04R120STP11N65M2IXFH120N20PIRFF121MTH6N852SK1275IRFU3806PbF2SK3736STB80NF03LCEBF630FLM1011-8CSGD600N70W3IXTQ150N15P