晶体管元件查询
型号：STI20N65M5
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
总耗散功率（Ptot）：130 W
封装：I2PAK
更多N沟道场效应管2SK2485IRFPC30STW70N60DM2IPD70R900P7S(70S900P7)FQA38N30CS5N60IRFI634NCE75H11GI85T03IRF1607PbFCEF85N75STP11NM60LSD55R140GFDHI90N045RFDH20N40