晶体管元件查询
型号：STP110N8F6
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
总耗散功率（Ptot）：200 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管CS2N65FHP170N1F4AIPB120N06S4-H1(4N06H1)STP140NF75MDP10N027THIRF143S70N08SFDD390N15A2SK677H5P75N02LDSLP13N50A2SK2865TSB8N60MSVF18N50PNAO3408