晶体管元件查询
型号：TSB8N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】147 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】147 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管LNH045R140TK16A60W52SK232750N25MGFC39V5258PTP04N04NARFP8N182SK3050SMK0760FTK12A60DMTP4N35MDD4N20Y2SK1942-01SGI1K1N65W3STW5NA90