晶体管元件查询
型号：STU11N65M2
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.68 Ω
总耗散功率（Ptot）：85 W
封装：IPAK
更多N沟道场效应管2SK270018N20IRFJ120IRL3713SPbFSVF5N60AIPB60R125CP2SK2607STF7N95K3AO3416IRFSL4310PbFHY3210BIXTT40N50L22SK618TK12A60D2SK430