晶体管元件查询
型号：SVD12N60T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】225 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管BR80N75IRC531LNC08R160FTK65T180DD(NCE65T180)SPA11N80C3LNL0605FDL100N50FLSD70R1KGT2SK2630LND03R031FLM5359-14IRFK4H150MGF0905JCS4N65CFTK65T360DD(NCE65T360D)