晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SVF4N65T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.7 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管FHP120N9F4AIRF443DHI150N10LND10R180KND4365A2SK3548BUZ10DH3205HY1001PDHD90N03TK80E08K3IRFP151LSG70R640GTTSI8N60MTK13A50D

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