晶体管元件查询
型号：SVG076R5ND
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：96 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管3N652SK301-R2SK19412SK3569STP190N55LF3RU75110R2SK24612SK398STW60N10FQPF13N50CLSD60R280HTSVF1N60AIXFP34N65X2FHX35XIRFP243