晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SiHB16N50C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】16 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.38 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管HY1707BSTB9NK70ZNCE80H15IPI110N20N3G(110N20N)BF245BIRFPC422SK2842SVD1N60LSG65R380GF4N65FSSH7N60FHF730IRFSZ402SK110012N65

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