晶体管元件查询
型号：SiHG80N60E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】520 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】520 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.03 Ω
封装：TO-247AC
更多N沟道场效应管SST65R420S2SPW35N60CFDFDPF20N50TB75NF75LSG60R650HTIRC640IRF4312SK3698-012SK3918MGF110210N65AC2SK3528-01RIXFK120N20FLL35MEFLR106XV