晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：TSP8N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】152 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管CS2N602SK10562SK2518FQPF7N60TK110Z65Z2SK3862SK3564NCE30H12KIRFP90N20D15N60SGD600N60W32SK4107SVF4N65T50N02SFP65N06

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