在没有仪表的情况下要判断晶体二极管的极性，可以用电池、扬声器（或耳机）与被测二极管串接的办法。如下图所示连接，使导线断续接触扬声器极片（电路断续导通/关断），改变二极管接入电路的方向再测。正常的二极管只有一个方向会使电路导通（二极管正向导通，扬声器有咯嚓声，此时接电池正极的既是二极管正极），另一个方向扬声器无声（二极管反向截止，此时接电池正极的是二极管负极）。如此即可判断出晶体二极管极性。如两次检测扬声器都发声，说明二极管击穿；如都无声，说明二极管断路。 用电池和扬声器辅助检测二极管极性的电路连

二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为门槛电压，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的

用数字万用表二极管档测量晶体管的PN结可以判断部分晶体管参数是否正常，下面介绍用数字万用表二极管档测量二极管、三极管、晶闸管、光耦合器的经验。 测量二极管 数字万用表二极管档开路电压约为2.8V，红表笔接正，黑表笔接负，测量时提供电流约为1mA，显示值为二极管正向压降近似值，单位是mV或V。硅二极管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二极管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二极管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V，说明二极管击穿，此时正反向都导通。如果正反向均开路

以下是1N系列硅整流二极管的反向耐压值和正向额定电流值： 1N4001硅整流二极管50V, 1A, 1N4002硅整流二极管100V,1A, 1N4003硅整流二极管200V,1A, 1N4004硅整流二极管400V,1A, 1N4005硅整流二极管600V,1A, 1N4006硅整流二极管800V,1A, 1N4007硅整流二极管1000V, 1A, 1N5391硅整流二极管50V, 1.5A, 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,

发光二极管的作用 发光二极管（LED）是一种由磷化镓（GaP）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时，它就会发光。 发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成，也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示等。 发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法。 按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaA )发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsI )发光二极管和

（一）普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别 将万用表置于R100档或R1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接

快速恢复二极管（FRD） 能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管，称为快恢复二极管，这种二极管的特点是反向恢复时间短，典型的200v/30 A快恢复二极管，其trr1s。 超快恢复二极管（UFRD） 超快恢复二极管的反向恢复时间更短，一般trr＝50ns（不同电流和电压规格的UFRD，其trr是不同的）。PN结式UFRD的优点是：正向导通损耗小，结电容小,工作温度可以较高。 、 例如，型号为IN6620～IN6631的高电压超快恢复二极管（PIV1000 V）：trr

稳压二极管工作原理 稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。 稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阻配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反

红外发光二极管是一种把电能直接转换成红外光能的发光器件(红外光是一种不可见光)，而且能把红外光辐射到空中。因此也称红外发射二极管。它的主要用途是与其他电路配合，共同构成红外线遥控系统中的发射电路。如电视机的遥控、音响的遥控、空调的遥控等都是采用红外发光二极管构成的遥控电路。 红外发光二极管与普通发光二极管的主要区别是所选用的材料是砷化镓或砷铝化镓，而普通发光二极管所用的材料是磷砷化镓和磷镓等。红外发光二极管所发的光是视觉看不到的红外光，而普通发光二极管发出的是可见光。 红外发光二极管

肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成 SBD）的

稳压电源中齐纳二极管的替代 有时，一个齐纳二极管不能提供所需的电压。下面是一些能够代替稳压二极管的组件，根据它们的特性两端将产生不同的电压，它们可以被放置在一系列需要基准电压的电路中。 参考电压可低至0.65V，你需要提供至少1到3mA的电流让他们工作于齐纳状态（击穿）。 等效一个大功率齐纳二极管 一个普通的齐纳二极管和一个功率晶体管可以代替一个大功率齐纳二极管。等效的大功率齐纳二极管电压将高于齐纳二极管约0.6V，整个电路的瓦数将取决于使用不同的晶体管。

1． 用万用表检测普通发光二极管 A．用指针式万用表R10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为几十至200k，反向电阻值为（无穷大）。在测量正向电阻值时，较高灵敏度的发光二极管，管内会发微光。若用万用表R1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右（部分发光二极管压降在3V左右，如白色发光二极管等），而万用表R1k档内电池的电压值为1.5V，故不能使发光二极管正向导通。 B、

光敏二极管又叫光电二极管。 光敏二极管也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单向导电特性。它在电路中的符号是： 光敏二极管的重要特性就是把光能转换成电能。在没有光照时，光敏二极管的反向电阻很大，反向电流很微弱，称为暗电流。当有光照时，光子打在pn结附近，于是在pn结附近产生电子-空穴对，它们在pn结内部电场作用下作定向运动，形成光电流。光照越强，光电流越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 光敏二极管在应用电路中的两种工作状态：

稳压二极管(又叫齐纳二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性和电路符号见图1。 稳压二极管是用于稳定电压的单PN结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿

用指针万用表判断二极管的正负极： 把万用电表拨到R100的档上，用万用电表的红黑两表笔接到二极管的两个电极上，若万用电表指针指示的电阻值较少，则黑表笔所接的是二极管的正极，红表笔所接的是二极管的负极；若万用电表指针指示的电阻值大于100Ｋ，则黑表笔所接的是二极管的负极，红表笔所接的是二极管的正极；这是由于万用电表在使用电阻档测量时，黑表笔是接的是电表内电池的正极，红表笔所接的是电表内电池的负极。 用万用表判断二极管的好坏： 把万用电表拨到R1000的档上，用万用电表测量二极管的正反向电阻，好的二

肖克利二极管是因由肖克利（威廉布拉德福德肖克利，1910年- 1989年，美国物理学家）发明而命名的，是一种四层的PNPN元件，几乎和SCR（晶闸管）一样，但是肖克利二极管与SCR的显著不同是没有闸极（控制极），故肖克利二极管也有四层二极管之称。 肖克利二极管有以下特性： （ 1 ）当逆向偏压小于崩溃电压时，肖克利二极管不导电，当逆向电压超过逆向崩溃电压时，大量电流通过二极管，若不加以限制将会被烧毁。 （ 2 ）当正向偏压低于顺向转态电压 V BR ，通过之电流几乎为零。 （ 3 ）正向电压达到

2CW1 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=280mW, 2CW2 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=280mW, 2CW3 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=280mW, 2CW4 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=280mW, 2CW9 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=

小信号检波是高频输入信号的振幅小于0.2V，利用二极管伏安特性弯曲部分进行频率变换，然后通过低通滤波器实现检波。通常称其为平方律检波。 图１二极管小信号检波电路 图１是二极管检波器的原理电路。因为是小信号输入，需外加偏压V Q 使其静态工作点位于二极管特性曲线部分的Q点。当加的输入信号为调幅信号时，二极管中的电流变化规律如图２。图中输入为普通调幅信号，由于二极管伏安特性非线性，二极管的电流为失真的调幅电流i D ，产生了新的频率，而其中包含有调幅信号频率成分。经过滤波器后，就可以得到所需的原

1、什么是二极管? 二极管的英文是diode。二极管有正负二个端子，正端A称为阳极，负端K 称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：半导体的半是一半的半；而二极管也是只有一半电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体 。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。 2、半导体的种类？ 半导体可分为本征半导体.P型半导体.N型半导体。 本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗（11个9的

双向触发二极管是一种压敏负阻器件。在一般情况下，双向触发二极管呈高阻截止状态，当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时，它便会击穿导通。 1.双向触发二极管在可控硅调压电路中的应用 双向触发二极管触发双向可控硅的调压电路是触发二极管的一种典型应用电路。图14-41所示的就是采用这种电路构成的交流调压电路。 当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及

双向触发二极管对于电子爱好者来说是比较熟悉的，在可控硅调压电路、日光灯电子整流器中都可以看到双向触发二极管的身影，本篇整理了有关双向触发二极管的知识文章，供大家学习参考。 双向触发二极管介绍之一 双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。结构、符号、等效电路和伏安特性见下图： 双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。下图为一个过压保护电路： 当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器、自动频率控制（AFC）、电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。 变容二极管又称可变电抗二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。 变容二极管的主要特性参数 ①最高反向工作电压VR:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过

1．正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。 也可以用数字万用表的二极管档，通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管，在测量其正向电压降时，表的读数为 0.58~0.65V；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号1。在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极，黑表笔接的是变容二极管的负极。 2．性能好坏的判断 用指针

恒流二极管的特性 恒流二极管（CRD）属于两端结型场效应恒流器件。其电路符号和伏安特性如图１所示。恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内IH不随VI而变化；其反向工作特性则与普通二极管的正向特性有相似之处。恒流二极管的外形与3DG6型晶体管相似，但它只有两个引线，靠近管壳突起的引线为正极。 图１ 恒流二极管电路符号和伏安特性 恒流二极管的主要参数有：恒定电流（IH），起始电压（VS），正向击穿电压（V(BO)），动态阻抗（ZH），电流温度系数（T）。其恒定电流一般为0.2～6mA。起始

二极管参数定义： Cb二极管PN结势垒电容 Cd二极管PN结扩散电容 Cj二极管结电容 Ct总电容 Ctmax最大电容（变容二极管最大电容值） Ctmin最小电容（变容二极管最小电容值） Ctr电容比率 C tv 电压温度系数（稳压二极管稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的C tv 是+0.07%/C，即温度每升高1C，其稳压值将升高0.07%。） f工作频率 I F 持续正向电流 I FRM 重复峰值正向电流 I FSM 非重复峰值正向电流 I O 最大

1.电流电压特性 红外发光二极管其电气的电路符号及特性曲线，如图1所示。阳极（P极）电压加正，阴极（N极）电压加负，此时二极管所加之电压为正向电压，同时亦产生正向电流，提供了红外发光二极管发射出光束的能量，其发光的条件与一般的发光二极管(LED)一样，只是红外线为不可见光。 一般而言砷化镓的红外线发光二极体约须1V，而镓质的红色发光二极管切入电压约须1.8V；绿色发光二极管切入电压约须2.0V左右。当加入之电压超过切入电压之后，电流便急速上升，而周围温度对二极管的切入电压影响亦很大，当温

2CK100 硅开关二极管 40V, 150mA, 300mW, 4nS, 3PF, 450ma, 2CK101 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK102 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK103 硅开关二极管 20V, 100mA, 2PF, 100ma, 2CK104 硅开关二极管 35V, 100mA, 10nS, 2PF, 225ma, 2CK105 硅开关二极管 35V,

整流二极管通常应用于电源电路中，利用其单向导电性将交流电转换成直流电。 整流二极管和普通二极管的区别是：整流二极管的PN结面积较大，故结电容比较大，不适合在高频条件下工作，同时正向电流比较大，反向击穿电压比较高，适合于大功率、高电压下工作。目前整流二极管基本为由硅材料制造，稳定性好，比较耐高温。 整流二极管P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（硅管为0.7

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线 两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。 在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极

发光二极管简称发光管（英文简称LED），它是采用特殊的磷化镓（GaP）或磷砷化镓（CaAsP） 等半导体材料制成的、能够将电能直接转换成为光能的半导体器件。发光二极管虽然与普通二极管一样也是由 PN 结构成的，也具有单向导电性，但发光二极管不是应用它的单向导电性，而是让它发光作指示（显示）、照明器件。 当给发光二极管通过一定正向电流时，它就会发光。与带灯丝的普通小 电珠相比，发光二极管具有体积小、色彩艳丽、耗电低、发光效率高、响应速 度快、耐振动和使用寿命长等优点，可广泛应用于各种电子、电器装置