3DG9018是硅NPN型高频小功率双极型晶体管，主要用于调幅调频中频放大器及VHF调谐器的本振。 管脚排列： １脚：发射极E； ２脚（中间）：集电极C； ３脚：基极B 3DG9018的特点如下： 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数（除非另有规定 Tamb= 25℃ ） 集电极-发射极电压（V CEO ）： 15 V 集电极-基 极电压（V CBO ）： 30 V 发射极-基 极电压（V EBO ）： 5 V 集电极电流 （I C ）：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

分立元件功放虽然制作较为复杂，对理解功率放大原理却有很大帮助，现为两款分立元件功放电原理图，正负双电源OCL电路模式，元件参数均已标出，供电子爱好者制作参考。 １、12管双极型晶体管OCL功率放大电路（点击电路图放大） ２、双极型晶体管、场效应晶体管混合OCL功率放大电路（点击电路图放大）

下面的触摸开关电路点亮20瓦的灯，当触点被触及，皮肤电阻约为2兆欧或更少。在左侧的电路采用了功率MOSFET的导通时，源极和栅极之间的电压大约是6伏。MOSFET的栅极不汲取电流，从而在所述栅极上的电压将是电源电压的一半或6伏，当跨越触摸接触电阻等于源极和栅极之间的固定电阻（2兆欧）。 右边的电路使用了三个双极型晶体管与引用到电源的负极或接地端的触摸接触完成相同的结果。因为双极型晶体管的基极汲取电流，电流增益通常小于200，三个晶体管通过高增益放大将触摸接触产生的微安级电流放大到所需要的几安培

文氏桥振荡器的三个例子如下所示。 第一个使用三个双极型晶体管。第二个使用的双极晶体管和JFET，第三个是采用一个运算放大器为最小的部位更受欢迎的类型。 我们的想法是产生于一些特定的频率使用2个电阻和同等价值的上限360度相移。一个电容和电阻是串联的，而另一个电容和电阻并联。通过网络的信号损失约为66％，因此放大器的增益需要大约3为1个环路增益。放大器的增益是至关重要的，因为太多的增益会产生限幅（扭曲）的波形和没有足够的增益不会维持振荡。这几乎是不可能实现的没有一些自动增益控制（AGC）来调节